宽能半导体
【GRC投资案例】富华资本参与宽能半导体超2亿元天使轮融资,助力打造世界一流碳化硅器件代工厂
08.Jun
2022

导语


第三代半导体企业南京宽能半导体有限公司日前宣布完成超2亿元天使轮融资。本轮融资由和利资本领投,富华资本(GRC SinoGreen Fund)、渶策资本、云启资本、国中资本、毅达资本等共同参与投资,此次融资主要将用于产线建设。宽能半导体团队源自于全球一流的可规模量产全系列碳化硅器件的代工厂,此次投资宽能半导体是富华资本布局第三代半导体产业的战略性一步。


近日,第三代半导体企业南京宽能半导体有限公司(以下简称“宽能半导体”)宣布完成超2亿元天使轮融资。本轮融资由和利资本领投,富华资本(GRC SinoGreen Fund)、渶策资本、云启资本、国中资本、毅达资本、金浦投资、亚昌投资、君盛投资共同参与投资。此次融资主要将用于产线建设。


根据Yole预测,到2025年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用。随着新能源汽车销量的快速提升,碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案,以取代传统硅基IGBT。预计未来新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管,无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节,对产品的良率和性能起到决定性作用。


宽能半导体成立于2021年11月,公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家,掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术,并具备20年以上相关产品量产经验。公司首条产线落地南京,目前正在建设中,建成后将成为国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。


宽能半导体将深耕功率半导体器件制造代工(SiC Device Foundry)领域,为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产,促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发,提供客制化工艺服务。此外,公司还具备沟槽型MOSFET工艺,由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺,仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构以及日本住友的接地双掩埋结构,宽能半导体在器件结构方面拥有的工艺技术,将为公司产品创造成本和性能上的优势。


作为本轮融资的投资方,GRC富华资本为长期投入高科技关键技术投资(Core Tech)与社会责任投资(ESG)的知名创投。GRC富华资本合伙人周本宜表达了对创业团队及所处市场的高度认可:


“第三代半导体凭借其在转换效率、体积和散热等方面的优势,在光伏、新能源汽车、快充、5G等下游多个应用领域将很快进入爆发期,而中国正是这些应用领域的全球最大单一市场,市场成长空间巨大且国产替代需求殷切。宽能半导体创始团队在第三代半导体产业的工艺建置、产品良率、制程开发验证等方面,具备10至15年以上的管理经验,洞悉市场发展趋势与客户需求,生产技术处于全球一线水平。此次投资宽能半导体是富华资本布局第三代半导体产业的战略性一步,我们非常看好宽能半导体未来在器件工艺、产品质量、生产规模上的优势,富华资本将通过基金自身的国际资源网络及协作平台,协助宽能半导体拓展海内外市场,加速第三代半导体各项应用落地,助力解决国内电动车及光伏产业依赖进口及供应不足的瓶颈问题。”


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