第三代半导体材料主要以碳化硅 SiC 和氮化镓 GaN为代表，具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率等特性，在高温、高压、高功率和高频领域有前两代半导体材料无可比拟的优势。第三代半导体材料的优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新能源汽车、高速轨道列车、能源储存、新能源电网、新一代移动通信等创新产业的重点核心材料和电子元器件，已然成为全球半导体技术和产业竞争的焦点。

由于新能源汽车及5G的普及为第三代半导体材料带来巨大增量，行业整体处于发展初期，目前国内外半导体企业纷纷加强在第三代半导体领域的布局，通过调整业务领域，扩大产能供给，整合并购，增强竞争能力，全球将迎来扩产热潮。

百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含以碳化硅SiC为衬底 (SiC on SiC、GaN on SiC)，以及硅为衬底（GaN on Silicon）的外延片，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供专业、高质量的碳化硅及氮化镓外延的专业代工服务。

百识电子董事长李屏表示：

“百识电子非常感谢大家的支持。目前工厂运转顺利，2021年公司已开始销售，我们仍将努力提升产品品质，拓展产品市场，加快产线扩建与设备装机。凭借诚信、专业、纪律和质量的核心文化, 百识电子戮力成为全球最专业的宽禁带材料外延代工服务商。”

作为本轮融资的投资方，GRC富华资本为长期投入高科技关键技术投资(CoreTech)与社会责任投资(ESG)的知名创投。GRC富华资本合伙人周本宜表达了对创业团队及所处市场的高度认可：

“第三代半导体凭借其在转换效率、体积和散热等方面的优势, 我们认为在光伏、新能源汽车、快充、5G等下游多个应用领域将很快进入爆发期，而中国正是这些应用领域的全球最大单一市场，市场成长空间巨大且国产替代需求殷切。在此当时, 半导体上游材料的工艺提升和产能扩充刻不容缓，百识电子团队在行业有平均超过15年、累计超过5万片的外延片量产与销售经验，其生产技术与管控经验也处于全球一线水平。富华资本将通过基金自身的国际资源网络及协作平台，协助百识电子拓展海内外市场，加速第三代半导体各项应用落地。由于高品质的外延片将对器件的产品良率与性能起到决定性作用，我们非常看好百识电子团队的生产工艺和产品质量将可获得行业代表性客户的认可, 取得行业领先地位。”